材料科学基础（西安科技大学） 知到智慧树答案2026年版

第一章 单元测试

1、
电磁力是原子间作用力的主要来源形式。

A:错
B:对
答案: 对

2、
均匀形核与非均匀形核的临界晶核尺寸是相等的。

A:错
B:对
答案: 对

3、
晶体的空间点阵是无限多种，但晶体结构是有限的。

A:对
B:错
答案: 错

4、
面心立方晶体结构与密排六方晶体结构的致密度和配位数均相等。

A:对
B:错
答案: 对

5、
sigma键的特点是（）

A:键能相对较强
B:键长相对较短
C:成键原子的电子云以头碰头的方式
D:成键原子的电子云以肩并肩的方式
答案: 键能相对较强;
键长相对较短;
成键原子的电子云以头碰头的方式

6、
碳在γ－Fe一般存在于Fe的八面体间隙中，理论是可以溶解的碳的质量分数为（　　），实际中碳在Fe中的最大溶解度的质量分数为（　　）

A:2.11%
B:30%
C:17.6%
D:50%
答案: 2.11%;
17.6%

7、

与晶面族{123}等价的晶面包括以下哪些？

A:（132）
B:（123）
C:（321）
D:（312）
答案: （132）;
（123）;
（321）;
（312）

8、
金属的塑性较好，从微观角度讲主要是因为（）

A:金属键中的自由电子被所有原子共享
B:位错的形成和运动
C:晶面之间容易发生滑移
D:金属原子易于运动
答案: 金属键中的自由电子被所有原子共享

9、
立方晶系中，晶胞中原子数最多的是哪一种点阵类型？( )

A:面心立方
B:体心立方
C:底心立方
D:简单立方
答案: 面心立方

第二章 单元测试

1、
晶体缺陷不包括（）

A:二维面缺陷
B:一维线缺陷
C:三维体缺陷
D:0维点缺陷 
答案: 三维体缺陷

2、
位错是由晶体的两个原子面错排导致的。

A:对
B:错
答案: 错

3、
伯氏矢量可用来表征位错的方向。

A:错
B:对
答案: 错

4、
刃型位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所构成的平面，且是惟一的。

A:对
B:错
答案: 对

5、
关于位错的攀移的描述中正确的是（）：

A:螺型位错不会发生攀移
B:攀移比滑移需要的能量高
C:刃型位错存在攀移运动
D: 攀移是位错滑移运动的结果
答案: 螺型位错不会发生攀移;
攀移比滑移需要的能量高;
刃型位错存在攀移运动

6、
位错的交割带来的影响有（）

A:两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段
B:位错的交割又可细分为割阶与扭折
C:影响材料的强度等性能
D:影响位错进一步的运动
答案: 两条位错线交割后，经常产生一段曲折线段;
位错的交割又可细分为割阶与扭折;
影响材料的强度等性能;
影响位错进一步的运动

7、
研究位错的应变场应同时包括位错中心区和非中心区。

A:对
B:错
答案: 错

8、
位错的应变能总是与材料的弹性模量成正相关关系。

A:错
B:对
答案: 对

9、
关于位错的线张力的描述错误的是（）：

A:线张力与弯曲半径r成反比 
B:线张力与材料的泊松比成反比
C:线张力与材料弹性模量成正比  
D:线张力与伯氏矢量的模的平方成正比
答案: 线张力与材料的泊松比成反比

10、
柯氏气团的作用包括（）：

A:提高了位错的稳定性  
B:使位错线运动变得困难
C:导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高
D:降低了晶体的应变能
答案: 提高了位错的稳定性  ;
使位错线运动变得困难;
导致晶体的塑性变形能力（屈服强度）提高;
降低了晶体的应变能