第一章 单元测试
1、
电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A:错
B:对
答案: 对
2、
电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.
A:对
B:错
答案: 错
3、
第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A:对
B:错
答案: 错
4、
电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A:错
B:对
答案: 对
5、
电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点
A:对
B:错
答案: 对
6、
模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A:对
B:错
答案: 错
7、
计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号
A:对
B:错
答案: 错
8、
数字信号一般指时间和数值上都连续的信号
A:错
B:对
答案: 错
9、
含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统
A:对
B:错
答案: 对
10、
下列信号不属于模拟信号的是( )
A:20Hz~20kHz的音频信号
B:4~20mA的电流信号
C:灯的亮灭状态
D:0~5V的电压信号
答案: 灯的亮灭状态
第二章 单元测试
1、
在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地
A:错
B:对
答案: 错
2、
凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系
A:对
B:错
答案: 对
3、
集成运放在开环情况下一定工作在非线性区
A:错
B:对
答案: 对
4、
理想运算放大器的两个重要结论是
A:虚短与虚断
B:虚短与虚地
C:短路和断路
D:虚地与反相
答案: 虚短与虚断
5、
集成运放的线性和非线性应用电路都存在
A:虚短与虚断
B:虚短
C:虚地
D:虚断
答案: 虚断
6、
如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为
A:
–UOM
B:
＋UOM
C:
无穷大
D:
0
答案:
–UOM
;
＋UOM
7、
反相输入积分电路中的电容接在电路的
A:同相端与输出端之间
B:同相输入端
C:反相输入端
D:反相端与输出端之间
答案: 反相端与输出端之间
8、
电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ， Vi=1V，则VO=
A:
-1V
B:
-2V
C:
1V
D:
2V
答案:
2V
9、
集成运放能处理
A:直流信号
B:交流信号
C:交流和直流信号
D:正弦信号
答案: 交流和直流信号
10、
理想运算放大器的输出电阻Ro为
A:有限值
B:无穷大
C:零
D:不确定
答案: 零
第三章 单元测试
1、
设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为
A:3V
B:6.7V
C:15V
D:9.7V
答案: 6.7V
2、
用万用表的电阻档测量二极管，当 时说明二极管的单向导电性好
A:正向电阻大反向电阻小
B:正向电阻反向电阻都大
C:正向电阻反向电阻都小
D:正向电阻小反向电阻大
答案: 正向电阻小反向电阻大
3、
如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管
A:正常导通
B:电流为0
C:击穿
D:电流过大而使管子烧坏
答案: 电流过大而使管子烧坏
4、
二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。
A:错
B:对
答案: 对
5、
当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区
A:对
B:错
答案: 错
6、
P型半导体带正电，N型半导体带负电
A:对
B:错
答案: 错
7、
当温度升高时，二极管反向饱和电流将
A:
先增大再减小
B:
减小
C:
增大
D:不变
答案:
增大
8、
半导体二极管的重要特性之一是
A:单向导电性
B:放大作用
C:滤波作用
D:温度稳定性
答案: 放大作用
9、
二极管电路如图3.1所示，则二极管导通情况为
A:
D2导通，D1截止
B:
都截止
C:
都导通
D:
D1导通，D2截止
答案:
D2导通，D1截止
10、
稳压管的稳压区是其工作在
A:反向击穿区
B:反向截止区
C:正向导通区
D:饱和区
答案: 反向击穿区
第四章 单元测试
1、
场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成的。
A:少子
B:多子
C:两种载流子
答案: 少子
2、
场效应管是一种 控制型的电子器件。
A:光
B:电压
C:电流
答案: 电压
3、
场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。
A:电场
B:电压
C:电流
答案: 电场
4、
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时，它的低频跨导将：
A:减小
B:不变
C:增大
答案: 增大
5、
当栅源电压VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有：
A:结型管
B:增强型MOS管
C:耗尽型MOS管
答案: 结型管;耗尽型MOS管
6、
广义地说，结型场效应管应该：
A:不属于耗尽型管
B:属于耗尽型管
C:属于增强型管
D:不属于增强型管
答案: 属于耗尽型管
7、
图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：
A:
N沟道增强型MOS管
B:
N沟道耗尽型MOS管
C:
P沟道耗尽型MOS管
D:
P沟道增强型MOS管
答案:
P沟道增强型MOS管
8、
某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：
A:
P沟道增强型MOS管
B:
N沟道增强型MOS管
C:
P沟道结型场效应管
D:
N沟道耗尽型MOS管
答案:
N沟道耗尽型MOS管
9、
图示场效应管放大电路的组态是:
A:
差动放大
B:
共漏
C:
共栅
D:
共源
答案:
共源
10、
测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:
A:
N沟道耗尽型MOS管
B:
P沟道结型FET管
C:
P沟道耗尽型MOS管
D:
N沟道结型FET管
答案:
N沟道耗尽型MOS管
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