（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。 选项： A:夹断 B:反型 C:导电 D
第一部分 课程概论 第一部分第一次测验
1、 问题:题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
选项：
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 【2016年7月 】
2、 问题:题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
选项：
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 【低风险】
3、 问题:题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
选项：
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 【18 】
4、 问题:题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
选项：
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: 【SoC】
5、 问题:题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
选项：
A:LSI
B:VLSI
D:SoC
答案: 【VLSI 】
6、 问题:题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
选项：
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 【1947 】
7、 问题:题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
选项：
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 【1958 】
8、 问题:题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【胡正明】
9、 问题:题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【张忠谋 】
10、 问题:题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
选项：
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 【基尔比 】
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 问题:题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断 】
2、 问题:题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
选项：
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 【耗尽】
3、 问题:题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
选项：
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 【饱和区】
4、 问题:题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
选项：
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 【空穴 】
5、 问题:题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
选项：
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 【反型层 】
6、 问题:题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
选项：
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【饱和区】
7、 问题:题2-1-7、在NMOS中，若
， 会使阈值电压（）。
选项：
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 【增大 】
8、 问题:题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
选项：
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 【大】
9、 问题:题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】
10、 问题:题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻
是由MOS管的（）效应产生的。
选项：
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 【沟长调制】
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第二次测试
1、 问题:题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
选项：
A:栅极氧化层电容
B:耗尽层电容
C:源漏交叠电容
D:结电容
答案: 【栅极氧化层电容】
2、 问题:题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
选项：
A:截止
B:三极管
C:深三极管
D:饱和
答案: 【饱和】
3、 问题:题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。
选项：
点击这里，查看后续答案①
点击这里，查看后续答案②（阿布查查更好用）
:耗尽 答案: 【夹断 】 2、 问题:题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过